[发明专利]电荷传输层及有机光电子元件有效
申请号: | 201780077369.4 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN110088927B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 阿部岳文;桑名保宏;服部繁树;鹤冈薫;横山大辅 | 申请(专利权)人: | AGC株式会社;国立大学法人山形大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;G09F9/30;H05B33/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
提供外部量子效率优异的电荷传输层、及具备该电荷传输层的有机光电子元件。一种电荷传输层,其由包含含氟聚合物及半导体材料的膜形成,前述膜具有使△E |
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搜索关键词: | 电荷 传输 有机 光电子 元件 | ||
【主权项】:
1.一种电荷传输层,其由包含含氟聚合物及半导体材料的膜形成,所述膜具有使△Eth达到0.010~0.080MV/cm的范围的材料组成,其中,所述△Eth为用式(△Eth=Eth(A)‑Eth(B))计算出的值,所述Eth(A)为在下述HOD中仅由所述半导体材料形成测定膜时的阈值电场,所述Eth(B)为在下述HOD中仅由所述膜形成测定膜时的阈值电场,所述阈值电场为流通基准的0.0001倍的电流密度时的电场的值,所述基准是指:在下述HOD中,对ITO电极和Al电极之间施加0.8MV/cm的电场时流通的电流密度Js(单位:mA/cm2),HOD是仅包含如下的层结构“玻璃基板/ITO电极(100nm厚)/MoO3(5nm厚)/测定膜(100nm厚)/Al电极(100nm厚)”的仅空穴器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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