[发明专利]电荷传输层及有机光电子元件有效

专利信息
申请号: 201780077369.4 申请日: 2017-12-13
公开(公告)号: CN110088927B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 阿部岳文;桑名保宏;服部繁树;鹤冈薫;横山大辅 申请(专利权)人: AGC株式会社;国立大学法人山形大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;G09F9/30;H05B33/10
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供外部量子效率优异的电荷传输层、及具备该电荷传输层的有机光电子元件。一种电荷传输层,其由包含含氟聚合物及半导体材料的膜形成,前述膜具有使△Eth达到0.010~0.080MV/cm的范围的材料组成。以及,一种有机光电子元件,其具备该电荷传输层。
搜索关键词: 电荷 传输 有机 光电子 元件
【主权项】:
1.一种电荷传输层,其由包含含氟聚合物及半导体材料的膜形成,所述膜具有使△Eth达到0.010~0.080MV/cm的范围的材料组成,其中,所述△Eth为用式(△Eth=Eth(A)‑Eth(B))计算出的值,所述Eth(A)为在下述HOD中仅由所述半导体材料形成测定膜时的阈值电场,所述Eth(B)为在下述HOD中仅由所述膜形成测定膜时的阈值电场,所述阈值电场为流通基准的0.0001倍的电流密度时的电场的值,所述基准是指:在下述HOD中,对ITO电极和Al电极之间施加0.8MV/cm的电场时流通的电流密度Js(单位:mA/cm2),HOD是仅包含如下的层结构“玻璃基板/ITO电极(100nm厚)/MoO3(5nm厚)/测定膜(100nm厚)/Al电极(100nm厚)”的仅空穴器件。
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