[发明专利]基板处理方法、送液方法以及基板处理装置有效
| 申请号： | 201780077433.9 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110073472B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 辻川裕贵;三浦淳靖;藤田和宏;土桥裕也 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种基板处理方法，包含：药液供给步骤，将含有离子的药液供给至基板的表面；低纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤之后执行，并将含有杂质的低纯度冲洗液供给至所述基板的表面，所述杂质通过与所述药液所含有的所述离子相互作用而形成析出物；以及高纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤与所述低纯度冲洗液供给步骤之间执行，将所含有的所述杂质的量比所述低纯度冲洗液少的高纯度冲洗液供给至所述基板的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，包含：药液供给步骤，将含有离子的药液供给至基板的表面；低纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤之后执行，并将含有杂质的低纯度冲洗液供给至所述基板的表面，所述杂质通过与所述药液所含有的所述离子相互作用而形成析出物；以及高纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤与所述低纯度冲洗液供给步骤之间执行，将所含有的所述杂质的量比所述低纯度冲洗液少的高纯度冲洗液供给至所述基板的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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