[发明专利]使用金属纳米粒子局部化表面等离子体的光谱发射修改有效
申请号: | 201780077975.6 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN110088930B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | C·R·卡根;C·B·默里;N·J·汤普森 | 申请(专利权)人: | 环球展览公司;宾夕法尼亚大学董事会 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 高敏 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种用于工程改造电致发光装置中的有机发射材料的发射光谱的线形的方法,其中在发射层的附近提供具有局部化表面等离子体共振LSPR的等离子体金属纳米结构层,并且所述等离子体金属纳米结构层距离所述发射层大于2nm但小于100nm,并且所述等离子体金属纳米结构的LSPR与所述有机发射材料的发射波长匹配。还公开了纳入所述等离子体金属纳米结构的电致发光装置。 | ||
搜索关键词: | 使用 金属 纳米 粒子 局部 表面 等离子体 光谱 发射 修改 | ||
【主权项】:
1.一种用于工程改造电致发光装置中的有机发射材料的发射光谱的线形的方法,其中所述电致发光装置包括阳极层、阴极层和安置于所述阳极层和所述阴极层之间的发射层,其中在所述发射层中提供有机发射材料,所述方法包括:提供一层具有局部化表面等离子体共振LSPR的等离子体金属纳米结构,其中所述等离子体金属纳米结构层距离所述发射层大于2nm但小于100nm,并且所述等离子体金属纳米结构层的LSPR在所述有机发射材料的峰值发射波长的±10nm内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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