[发明专利]光集成元件以及光发送机模块有效

专利信息
申请号: 201780078544.1 申请日: 2017-12-19
公开(公告)号: CN110088995B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 斋藤裕介;黑部立郎;木本龙也;神谷慎一 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: H01S5/026 分类号: H01S5/026;G02B6/122
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王亚爱
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 光集成元件具备:在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、以及上部包覆层而成的无源波导区域、在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、通过注入电流而放大光的量子阱层、以及上部包覆层而成的活性区域,第1芯层与量子阱层之间在对第1芯层进行波导的光的模场的范围内相接近,无源波导区域的至少一部分以及活性区域具有上部包覆层突出为台面状的第1台面构造,无源波导区域包含除了第1台面构造还具有第1芯层、下部包覆层以及第2芯层突出为台面状的第2台面构造的第2光点尺寸变换区域,第2台面构造的宽度比第1台面构造的宽度宽,并且具有第2台面构造的无源波导区域中,第1台面构造的宽度连续地变化。
搜索关键词: 集成 元件 以及 发送机 模块
【主权项】:
1.一种光集成元件,其特征在于,具备:基板;无源波导区域,在所述基板上依次层叠折射率比所述基板高的第2芯层、折射率比所述第2芯层低的下部包覆层、折射率比所述下部包覆层高的第1芯层、以及折射率比所述第1芯层低的上部包覆层而成;和活性区域,在所述基板上依次层叠所述第2芯层、所述下部包覆层、所述第1芯层、通过注入电流来对光进行放大的量子阱层、以及所述上部包覆层而成,所述第1芯层与所述量子阱层之间在所述第1芯层中进行波导的光的模场的范围内相接近,所述无源波导区域的至少一部分以及所述活性区域具有所述上部包覆层突出为台面状的第1台面构造,所述无源波导区域包含第2光点尺寸变换区域,所述第2光点尺寸变换区域除了所述第1台面构造,还具有所述第1芯层、所述下部包覆层以及所述第2芯层突出为台面状的第2台面构造,所述第2台面构造的宽度比所述第1台面构造的宽度宽,并且在具有所述第2台面构造的所述无源波导区域中,所述第1台面构造的宽度连续地变化。
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