[发明专利]涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置有效
申请号: | 201780078574.2 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN110088880B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 稻叶翔吾;吉原孝介;畠山真一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B05C11/08;B05D1/36;B05D1/40;B05D3/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种在基片上涂敷涂敷液的方法,其中,在形成于基片上的涂敷液的液膜干燥之前,一边使该基片以规定的转速旋转,一边对基片上的涂敷液的该液膜上的周边部供给涂敷液的溶剂,以在该周边部形成涂敷液与溶剂的混合层,然后,使基片以比规定的转速快的转速旋转,将混合层赶到外周侧,来控制干燥后的涂敷液的膜厚。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 计算机 存储 介质 装置 | ||
【主权项】:
1.一种在基片上涂敷涂敷液的涂敷处理方法,其特征在于:在形成于基片上的所述涂敷液的液膜干燥之前,一边使所述基片以规定的转速旋转,一边对所述基片上的涂敷液的液膜上的周边部供给所述涂敷液的溶剂,以在该周边部形成所述涂敷液与所述溶剂的混合层,然后,使所述基片以比规定的转速快的转速旋转,将所述混合层赶到外周侧,来控制干燥后的所述涂敷液的膜厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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