[发明专利]半导体器件

摘要

根据实施例的半导体器件可以包括：衬底；第一发光结构和第二发光结构，其被布置在衬底上；第一反射电极，其被布置在第一发光结构上；第二反射电极，其被布置在第二发光结构上；连接电极；第一电极焊盘；以及第二电极焊盘。根据实施例，第一发光结构可以包括：第一导电类型的第一半导体层；第一有源层，其被布置在第一半导体层上；第二导电类型的第二半导体层，其被布置在第一有源层上；以及第一通孔，其通过第二半导体层和第一有源层延伸并且暴露第一半导体层。第二发光结构与第一发光结构间隔开，并且可以包括：第一导电类型的第三半导体层、布置在第三半导体层上的第二有源层、以及布置在第二有源层上的第二导电类型上的第四半导体层。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底；第一发光结构，所述第一发光结构被布置在所述衬底上，所述第一发光结构包括第一导电类型的第一半导体层；第一有源层，所述第一有源层被布置在所述第一半导体层上；以及第二导电类型的第二半导体层，所述第一发光结构提供通过所述第二半导体层和所述有源层的第一通孔以暴露所述第一半导体层；第二发光结构，所述第二发光结构被布置在所述衬底上并且与所述第一发光结构间隔开，所述第二发光结构包括第一导电类型的第三半导体层；第二有源层，所述第二有源层被布置在所述第三半导体层上；以及第二导电类型的第四半导体层；第一反射电极，所述第一反射电极被布置在所述第一发光结构的第二半导体层上；第二反射电极，所述第二反射电极被布置在所述第二发光结构的第四半导体层上；连接电极，所述连接电极被电连接到所述第一发光结构的第二半导体层和所述第二发光结构的第三半导体层；第一电极焊盘，所述第一电极焊盘被布置在所述第一发光结构上并且通过所述第一发光结构的第一通孔被电连接到所述第一半导体层；以及第二电极焊盘，所述第二电极焊盘被布置在所述第二发光结构上并且被电连接到所述第二反射电极。