[发明专利]制备异氰酸酯的方法

摘要

异氰酸酯的工业大规模制备中产生蒸馏塔底料流，其需要进一步后处理。这些蒸馏塔底料流除由只能非常困难地或根本不能在不分解的情况下蒸发的化合物构成的蒸馏残渣（也简称为残渣）外还含有一定含量的所需目标产物（即要制备的异氰酸酯）。本发明涉及能以有效方式回收在异氰酸酯制备方法中形成的含有要制备的异氰酸酯的粗制液体工艺产物的后处理中产生的蒸馏塔底料流中的这一含量的要制备的异氰酸酯的方法。特别地，本发明涉及干燥步骤，其中回收要制备的异氰酸酯以形成已基本至完全脱除这种异氰酸酯的固体。这一干燥步骤的特征在于基于供应到所用干燥装置的蒸馏残渣的总质量计15质量%，优选20质量%，特别优选30质量%的含碳二亚胺基团的化合物的最低含量，其中也可通过原位碳二亚胺化来设定这一最低含量。

主权项

1.制备异氰酸酯的方法，其中通过将与要制备的异氰酸酯对应的伯胺光气化以获得包含要制备的异氰酸酯的液体粗制工艺产物，所述方法包括所述液体粗制工艺产物的后处理以获得由下列材料构成的蒸馏塔底料流·要制备的异氰酸酯，·任选低沸物，其是具有比要制备的异氰酸酯低的沸点或如果要制备的异氰酸酯作为异构体混合物存在，具有比要制备的异氰酸酯的最低沸点异构体低的沸点的物质或物质的共沸混合物，和·蒸馏残渣；进一步包括所述蒸馏塔底料流的后处理，其中所述后处理包括下列步骤：1) 任选在蒸发器中通过部分蒸发所述蒸馏塔底料流中包含的要制备的异氰酸酯而预浓缩所述蒸馏塔底料流，以获得脱除要制备的异氰酸酯的预浓缩液体料流；2) 在干燥装置中在150℃至500℃，优选185℃至300℃，特别优选200℃至270℃的温度下干燥所述蒸馏塔底料流或在步骤1)中获得的脱除要制备的异氰酸酯的预浓缩液体料流，其中蒸发和回收要制备的异氰酸酯以形成固体工艺产物，其中将基于供应到干燥装置的蒸馏残渣的总质量计的含碳二亚胺基团的化合物的质量含量设定为至少15%，优选至少20%，特别优选至少30%的值。