[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序在审
| 申请号： | 201780080537.5 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110121763A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 三村英俊;佐佐木隆史;吉田秀成;冈岛优作 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/455;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种使形成于晶圆上的膜的面内膜厚均匀性提高的技术。本发明的装置具有：处理室，其对基板进行处理；处理气体喷嘴，其将处理气体供给至处理室内；惰性气体喷嘴，其以基板的中心部的惰性气体浓度比基板的端部的惰性气体浓度低的方式仅将惰性气体供给至处理室内；及排气管，其将处理室内的环境气体排出。在基板的中心部测得的处理气体喷嘴与惰性气体喷嘴之间的角优选为钝角。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 惰性气体喷嘴 处理气体 惰性气体 喷嘴 中心部 室内 面内膜厚均匀性 处理气体供给 惰性气体供给 基板处理装置 半导体装置 环境气体 对基板 浓度比 排气管 钝角 晶圆 排出 优选 制造 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理室，其对基板进行处理；处理气体喷嘴，其将处理气体供给至上述处理室内；惰性气体喷嘴，其以上述基板的中心部的惰性气体浓度比上述基板的端部的惰性气体浓度低的方式仅将惰性气体供给至上述处理室内；以及排气管，其将上述处理室内的环境气体排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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