[发明专利]通过层转移制造微发光二极管(LED)在审
| 申请号： | 201780080595.8 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN110100306A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 弗兰乔斯·J·亨利 | 申请（专利权）人： | QMAT股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L33/00;H01L33/20;G09F9/33;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式涉及利用层转移的材料制作微发光二极管(LED)结构。具体而言，利用诸如氢化物气相外延(HVPE)的技术，在供体基材上生长高质量的氮化镓(GaN)。示例性供体基材能够包括GaN、AlN、SiC、蓝宝石和/或单晶硅，例如，(111)。以这种方式生长的GaN的较大相对厚度(例如，～10μm)显著降低材料中存在的穿透位错密度(TDD)(例如，至约(2～3)×106cm‑2)。这使得所述解理生长的GaN材料非常适合于转移并结合到在低电流/热量产生条件下在高亮度下工作的微‑LED结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 微发光二极管 供体基材 生长 氢化物气相外延 单晶硅 蓝宝石 穿透位错 热量产生 层转移 氮化镓 低电流 通过层 解理 制造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在供体基材上生长晶体半导体材料，所述材料的穿透位错密度(TDD)随厚度而下降；将多种粒子植入到所述材料的暴露面中以产生表面下解理区域；将所述暴露面结合到基材上；施加能量以沿着解理面解理所述材料从而留下结合到所述基材上的层；和处理所述层以结合到微发光二极管(LED)结构中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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