[发明专利]高纵横比电镀结构和各向异性电镀工艺在审
| 申请号： | 201780082271.8 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN110140203A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | D·P·里默;K·C·斯旺森;P·F·拉德维希 | 申请（专利权）人： | 哈钦森技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/283;H01L23/48;H01L27/01 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了包括高纵横比电镀结构的装置和形成高纵横比电镀结构的方法。一种制造金属结构的方法，包括：提供具有金属基部的基底，所述金属基部的特征在于高度与宽度纵横比A/B；以及在所述基部上电镀金属冠以形成所述金属结构，所述金属结构的高度与宽度纵横比A/S大于所述基部的纵横比A/B。 | ||
| 搜索关键词： | 高纵横比 金属结构 电镀 纵横比 金属基部 基部 电镀工艺 电镀金属 基底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造金属结构的方法，所述金属结构包括但不限于电路引线和过孔，所述方法包括：提供具有金属基部的基底(例如，金属或聚合物)，所述金属基部的特征在于高度与宽度纵横比A/B；以及在所述基部上电镀金属冠以形成所述金属结构，所述金属结构的高度与宽度纵横比A/S大于所述基部的纵横比A/B。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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