[发明专利]用于抛光硅的碳化物的组合物及方法有效
| 申请号： | 201780082466.2 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN110168034B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | R.伊万诺夫;F.亨格洛;柯政远;G.怀特纳 | 申请（专利权）人： | CMC材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/04;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邢岳 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供化学机械抛光组合物，其包含(a)氧化硅颗粒、(b)包含磺酸单体单元的聚合物、(c)任选地缓冲剂、以及(d)水，其中，该抛光组合物具有约2至约5的pH值。本发明进一步提供使用本发明的化学机械抛光组合物来化学机械抛光基板的方法。典型地，该基板包含硅的碳化物及硅的氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 碳化物 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.化学机械抛光基板的方法，包括：(i)提供基板，其中该基板包含位于该基板的表面上的硅碳化物层；(ii)提供抛光垫；(iii)提供包含以下的抛光组合物：(a)氧化硅颗粒，(b)包含磺酸单体单元的聚合物，及(c)水，其中该抛光组合物具有约2至约5的pH值；(iv)使该基板与该抛光垫及该抛光组合物接触；及(v)使该抛光垫及该抛光组合物相对于该基板移动以磨除该基板的表面上的该硅碳化物层的至少一部分，从而抛光该基板。
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