[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 201780082719.6 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110192266A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/42;C30B25/16;C30B29/36;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶基板 外延晶片 外延层 基底面 偏离角 主面相 位错 制造 | ||
【主权项】：
1.一种SiC外延晶片，具有：SiC单晶基板，其主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角；和外延层，其设置在所述SiC单晶基板上，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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