[发明专利]用于集合制造多个光电芯片的方法有效

专利信息
申请号: 201780082851.7 申请日: 2017-11-10
公开(公告)号: CN110178064B 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 塞尔维·梅内佐;弗兰克·富尔内尔 申请(专利权)人: 原子能和替代能源委员会
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;G02B6/12
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 谢攀;刘继富
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于集合制造多个光电芯片(P1、P2)的方法,包括以下步骤:i)提供包括多个称为基本区域(z1、z2)的区域的接收基底(1),每个基本区域包括至少一个称为耦合波导(31、32)的波导,该波导内置于接收基底(1)中;将多个接触板(6)转移到基本区域(z1、z2),使得接触板(6)部分地覆盖耦合波导(31、32);以及iii)从所述接触板(6)制造所述第一光电组件(21、22);其特征在于,在转移阶段之后,每个接触板(6)在至少两个相邻的基本区域(z1、z2)的组件(E)上延伸。
搜索关键词: 用于 集合 制造 光电 芯片 方法
【主权项】:
1.一种用于在晶片级上制造多个光电芯片(P1、P2)的方法,包括以下步骤:i)提供包括多个所谓的基本区域(z1、z2)的接收基底(1),每个基本区域旨在包含一个光电芯片(P1、P2),每个基本区域(z1、z2)包括至少一个所谓的耦合波导(31、32),所述耦合波导(31、32)集成在所述接收基底(1)中并且旨在光学耦合到第一光电组件(21、22);ii)将多个衬垫(6)转移到所述基本区域(z1、z2),使得所述衬垫(6)部分地覆盖所述耦合波导(31、32);iii)从所述衬垫(6)制造所述第一光电组件(21、22),使得每个第一光电组件(21、22)面向相应的基本区域(z1,z2)的至少一个耦合波导(31、32);其特征在于,在所述转移步骤之后,每个衬垫(6)在至少两个相邻基本区域(z1、z2)的组(E)上延伸,以便部分地覆盖所述相邻的基本区域(z1、z2)中的每一个的至少一个耦合波导(31、32)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能和替代能源委员会,未经原子能和替代能源委员会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780082851.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top