[发明专利]用于集合制造多个光电芯片的方法有效
申请号: | 201780082851.7 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN110178064B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 塞尔维·梅内佐;弗兰克·富尔内尔 | 申请(专利权)人: | 原子能和替代能源委员会 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42;G02B6/12 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及一种用于集合制造多个光电芯片(P1、P2)的方法,包括以下步骤:i)提供包括多个称为基本区域(z1、z2)的区域的接收基底(1),每个基本区域包括至少一个称为耦合波导(3 |
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搜索关键词: | 用于 集合 制造 光电 芯片 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于在晶片级上制造多个光电芯片(P1、P2)的方法,包括以下步骤:i)提供包括多个所谓的基本区域(z1、z2)的接收基底(1),每个基本区域旨在包含一个光电芯片(P1、P2),每个基本区域(z1、z2)包括至少一个所谓的耦合波导(31、32),所述耦合波导(31、32)集成在所述接收基底(1)中并且旨在光学耦合到第一光电组件(21、22);ii)将多个衬垫(6)转移到所述基本区域(z1、z2),使得所述衬垫(6)部分地覆盖所述耦合波导(31、32);iii)从所述衬垫(6)制造所述第一光电组件(21、22),使得每个第一光电组件(21、22)面向相应的基本区域(z1,z2)的至少一个耦合波导(31、32);其特征在于,在所述转移步骤之后,每个衬垫(6)在至少两个相邻基本区域(z1、z2)的组(E)上延伸,以便部分地覆盖所述相邻的基本区域(z1、z2)中的每一个的至少一个耦合波导(31、32)。
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