[发明专利]具有高电子迁移率异质结的电子元件有效
| 申请号： | 201780083126.1 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110168737B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 埃尔文·莫尔万 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/872;H01L29/417;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，所述电子元件包括：‑第一半导体材料层(12)和第二半导体材料层(13)的叠加，以便在第一和第二半导体层之间的界面附近形成电子气层(14)；和‑传导电极的第一和第二金属接触部(21、22)，其相对于电子气层垂直地形成在所述第二半导体材料层(13)上。所述第一和第二金属接触部中的至少一个具有接触长度L，使得L≤1.5*√(ρc/R2Deg)；其中ρc表示在425K温度下的所述金属接触部与电子气层的电阻率，其中R2Deg是在425K温度下电子气层中的方块电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电子 迁移率 异质结 电子元件 | ||
【主权项】：
1.一种具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，包括：‑第一半导体材料层(12)和第二半导体材料层(13)的叠加，以便在第一层半导体材料和第二层半导体材料之间的界面附近形成电子气层(14)；‑传导电极的第一金属接触部和第二金属接触部(21、22)，其相对于所述电子气层垂直地形成在所述第二层半导体材料(13)上；其特征在于：‑所述第一金属接触部和第二金属接触部中的至少一个具有接触长度L，使得L≤1.5*√(ρc/R2Deg)；其中，ρc是在425K温度下所述金属接触部与所述电子气层的电阻率，其中，R2Deg是所述电子气层在425K温度下的方块电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能和替代能源委员会，未经原子能和替代能源委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780083126.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
