[发明专利]半导体激光元件、半导体激光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201780083335.6 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN110178275B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 渊田步;奥贯雄一郎;境野刚;上辻哲也;中村直干 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 特征在于，具备：半导体基板；谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、后端面、和呈倒台面斜面的前端面；防反射涂膜，其形成于该前端面；反射膜，其形成于该后端面；衍射光栅，其形成于该有源层之上或之下；上部电极，其形成于该谐振器部之上；以及下部电极，其形成于该半导体基板之下，该谐振器部的谐振器方向的长度比该半导体基板的该谐振器方向的长度短，从该前端面射出激光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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