[发明专利]使用切割图案掩模来制造面积减小的集成电路(IC)单元的修改的自对准四重图案化(SAQP)工艺有效
申请号: | 201780083768.1 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN110178222B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | S·S·宋;G·纳拉帕蒂;P·奇达巴拉姆 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G03F1/70;H01L21/033;H01L21/308;H01L27/118 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了使用切割图案掩模来制造面积减小的集成电路(IC)单元的修改的自对准四重图案化(SAQP)工艺的方面。在一个方面中,修改的SAQP工艺包括设置多个芯轴。第一间隔物设置在每个芯轴的任一侧,并且第二间隔物设置在每个第一间隔物的任一侧。切割图案掩模设置在第二间隔物之上并且包括暴露对应于要设置电压轨的位置的第二间隔物的开口。通过移除由切割图案掩模中的开口暴露的第二间隔物,并且将电压轨设置在通过移除第二间隔物而留下的空的对应的位置中,来形成电压轨。路由线路被设置在形成在每组剩余的第二间隔物之间的路由轨道之上,以允许形成在IC单元中的有源器件的互连。 | ||
搜索关键词: | 使用 切割 图案 掩模来 制造 面积 减小 集成电路 ic 单元 修改 对准 saqp 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路(IC)单元,包括:第一电压轨,被配置为接收第一电压;第二电压轨,基本上平行于所述第一电压轨设置,并且被配置为接收第二电压;偶数多个路由轨道,形成在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间并且基本上平行于所述第一电压轨和所述第二电压轨;以及多个路由线路,其中所述多个路由线路中的每个路由线路被设置在所述偶数多个路由轨道中的对应的路由轨道之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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