[发明专利]来自半导体工艺流出物的一氧化二氮的等离子体减量在审
| 申请号： | 201780084275.X | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN110214046A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 达斯汀·W·霍;约瑟夫·A·万戈佩尔;正·袁;詹姆斯·拉赫鲁;瑞安·T·唐尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | B01D53/56 | 分类号： | B01D53/56;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于使存在于半导体制造工艺的流出物中的N2O气体减量的方法。该方法包括将氢气和/或氨气注入等离子体源(100)中、以及激发含有N2O气体的流出物与氢和/或氨气并且使含有N2O气体的流出物与氢和/或氨气反应以形成减量材料。通过使用氢气或氨气，N2O气体的破坏去除率(DRE)是至少百分之五十，同时实质上降低减量材料中一氧化氮(NO)和/或二氧化氮(NO2)的浓度，诸如以体积计最多百万分之五千(ppm)。 | ||
| 搜索关键词： | 氨气 流出物 减量 氢气 等离子体 半导体制造工艺 半导体工艺 等离子体源 一氧化二氮 二氧化氮 一氧化氮 去除 激发 | ||
【主权项】：
1.一种用于使含有一氧化二氮气体的流出物减量的方法，包含：使含有一氧化二氮气体的所述流出物流入等离子体源中；将氢气注入所述等离子体源中；以及激发所述流出物与所述氢气并且使所述流出物与所述氢气反应以形成减量材料，其中所述一氧化二氮气体的破坏去除率是至少百分之五十，且所述减量材料中的一氧化氮或二氧化氮的浓度是以体积计最多百万分之五千。
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