[发明专利]氮化镓晶体管有效
| 申请号： | 201780084505.2 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110392929B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 焦尔贾·隆戈巴尔迪;弗洛林·乌德雷亚 | 申请（专利权）人： | 剑桥氮化镓器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了一种III族氮化物半导体基异质结功率器件，包括：衬底(305)；形成在衬底上方的III族氮化物半导体区域；操作性连接到III族氮化物半导体区域的源极(340)；与源极横向间隔开并操作性连接到III族氮化物半导体区域的漏极(320)；形成在III族氮化物半导体区域上方的栅极(335)，栅极形成在源极和漏极之间。III族氮化物半导体区域包括：形成在源极和栅极之间的第一部分。源极与第一部分接触，并且第一部分包括具有二维载气的异质结(327)；形成在栅极和漏极之间的第二部分，其中漏极与第二部分接触，并且第二部分包括具有二维载气的异质结。III族氮化物半导体区域的第一部分和第二部分中至少之一包括：形成在III族氮化物半导体区域内具有竖直侧壁的至少一个沟槽(380)；平台区域(385)，各自从至少一个沟槽的每个竖直侧壁延伸离开。二维载气沿着平台区域以及沿着至少一个沟槽定位。分别与第一部分和第二部分中至少之一接触的源极和漏极中至少之一与沿着III族氮化物半导体区域的第一部分和第二部分中至少之一的至少一个沟槽以及沿着平台区域定位的二维载气接触。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体基异质结功率器件，包括：衬底；III族氮化物半导体区域，形成在所述衬底上方；源极，操作性连接到所述III族氮化物半导体区域；漏极，与所述源极横向间隔开，并操作性连接到所述III族氮化物半导体区域；形成在所述III族氮化物半导体区域上方的栅极，所述栅极形成在所述源极与所述漏极之间；其中，所述III族氮化物半导体区域包括：形成在所述源极与所述栅极之间的第一部分，其中，所述源极与所述第一部分接触，其中，所述第一部分包括具有二维载气的异质结；形成在所述栅极与所述漏极之间的第二部分，其中，所述漏极与所述第二部分接触，其中，所述第二部分包括具有所述二维载气的所述异质结；其中，所述III族氮化物半导体区域的第一部分和第二部分中的至少一个包括：至少一个沟槽，具有竖直侧壁，并且形成在所述III族氮化物半导体区域内；平台区域，各自从所述至少一个沟槽的每个竖直侧壁延伸离开，其中，所述二维载气沿着所述平台区域以及沿着所述至少一个沟槽定位，并且其中，分别与所述第一部分和所述第二部分中的至少一个接触的所述源极和所述漏极中的至少一个与以下二维载气接触，该二维载气位于沿着所述III族氮化物半导体区域的第一部分和第二部分中的所述至少一个的所述至少一个沟槽以及沿着所述平台区域。
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