[发明专利]透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜在审
| 申请号： | 201780084562.0 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110226213A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 朴载赫;金大根;李明鲁;金秉基;石惠媛 | 申请（专利权）人： | IONES株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彦;金相允 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明一实施例涉及一种透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜，所要解决的技术问题是提供透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜，该透明氟基薄膜的内部没有孔隙或孔隙极小且具有纳米结构，因此不仅具有高透光率，而且具有高硬度和接合强度，从而能够保护显示装置的透明窗。为此，本发明公开一种透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜，所述透明氟基薄膜的形成方法包括：从输送气体供应部接收输送气体，并从粉末供应部接收YF3粉末，从而将所述YF3粉末以气溶胶状态输送的步骤；将气溶胶状态输送的所述YF3粉末撞碎在工艺腔室内的基材上，从而在所述基材上形成YF3透明氟基薄膜的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 氟基 薄膜 透明 输送气体 气溶胶 基材 粉末供应部 高透光率 纳米结构 显示装置 高硬度 工艺腔 供应部 透明窗 接合 室内 | ||
【主权项】：
1.一种透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，包括：从输送气体供应部接收输送气体，并从粉末供应部接收YF3粉末，从而将所述YF3粉末以气溶胶状态输送的步骤；以及将以所述气溶胶状态输送的所述YF3粉末撞碎在工艺腔室内的基材上，从而在所述基材上形成YF3透明氟基薄膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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