[发明专利]能够控制pH以及氧化还原电位的稀释药液的制造装置有效
申请号: | 201780084661.9 | 申请日: | 2017-09-12 |
公开(公告)号: | CN110225889B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 藤村侑;颜畅子 | 申请(专利权)人: | 栗田工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李慧慧;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 稀释药液的制造装置具有以下构成:在超纯水(W)的供给线(1)上依次具备铂族金属负载树脂柱(2)、膜式脱气装置(3)、和气体溶解膜装置(4),在铂族金属负载树脂柱(2)与膜式脱气装置(3)之间设有pH调节剂注入装置(5A)和氧化还原电位调节剂注入装置(5B)。膜式脱气装置(3)的气相侧与非活性气体源(6)连接,并且气体溶解膜装置4的气相侧也与非活性气体源(7)连接,气体溶解膜装置(4)与排出线(8)连通。在该排出线(8)上设有pH计(10A)和ORP计(10B)。根据该稀释药液的制造装置,能够控制pH以及氧化还原电位。 | ||
搜索关键词: | 能够 控制 ph 以及 氧化 还原 电位 稀释 药液 制造 装置 | ||
【主权项】:
1.一种稀释药液的制造装置,其中,在超纯水供给线上依次具备铂族金属负载树脂柱和膜式脱气装置,在所述铂族金属负载树脂柱与所述膜式脱气装置之间,设有向超纯水中添加pH调节剂的pH调节剂注入装置和添加氧化还原电位调节剂的氧化还原电位调节剂注入装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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