[发明专利]用于沉积、注入和处理的具有多种反应气体、高偏置功率和高功率脉冲源的PVD腔室的增设部分在审
| 申请号： | 201780084678.4 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN110225995A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 刘菁菁;卢多维克·戈代;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;陈咏梅;阿纳塔·K·苏比玛尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35;C23C14/48;H01J37/34;H01L21/02;H01L21/67;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方式提供具有原位离子注入能力的溅射腔室。在一个实施方式中，溅射腔室包含靶材、耦接至所述靶材的RF和DC电源、包含平坦基板接收表面的支撑件主体、耦接至支撑件主体的偏置功率源、耦接至偏置功率源的脉冲控制器和排放组件，其中所述脉冲控制器施加脉冲控制信号至偏置功率源，使得在常规脉冲模式或高频率脉冲模式中输送偏置功率，常规脉冲模式具有约100至200微秒的脉冲持续时间和约1Hz至200Hz的脉冲重复频率，而高频率脉冲模式具有约100微秒至300微秒的脉冲持续时间和约200Hz至约20KHz的脉冲重复频率，并且排放组件具有穿过处理腔室的底部形成的同心泵送口。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置功率 耦接 脉冲重复频率 高频率脉冲 脉冲控制器 支撑件主体 常规脉冲 溅射腔室 排放组件 时间和约 脉冲 靶材 高功率脉冲源 脉冲控制信号 处理腔室 反应气体 接收表面 平坦基板 泵送口 腔室 沉积 离子 同心 穿过 施加 增设 | ||
【主权项】：
1.一种处理腔室，用于处理基板，所述处理腔室包含：靶材，具有第一表面和第二表面，所述第一表面设置于所述处理腔室的处理区域中，所述第二表面与所述第一表面相对；RF电源，耦接至所述靶材；DC电源，耦接至所述靶材；基板支撑件，包含支撑件主体，所述支撑件主体跨所述基板支撑件的整个直径具有平坦的基板接收表面；偏置功率源，耦接至所述基板支撑件；脉冲控制器，耦接至所述偏置功率源，所述脉冲控制器经配置以施加脉冲控制信号至所述偏置功率源，使得偏置功率在常规脉冲模式或高频率脉冲模式中输送，所述常规脉冲模式具有约100微秒至约200微秒的脉冲持续时间(pulse duration)和约1Hz至约200Hz的脉冲重复频率(pulse repetition frequency)，而所述高频率脉冲模式具有约100微秒至约300微秒的脉冲持续时间和约200Hz至约20KHz的脉冲重复频率；和排放组件，具有同心泵送口，所述同心泵送口穿过所述处理腔室的底部而形成。
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