[发明专利]制备包括III-V族材料和与硅工艺流程相容的接触的元件的方法

摘要

本发明涉及一种用于制备元件的方法，所述元件包括在衬底的表面上由III‑V族材料制得的结构，所述结构包括至少一个在第一III‑V族材料(1)表面上限定的上接触水平面(Nsup)和在第二III‑V族材料(2)表面上限定的下接触水平面(Ninf)，所述方法包括：用至少一种电介质(8)封装所述结构的连续操作；在电介质中制备用于两个接触的主孔(Osp；Oip)；在电介质中制备用于两个接触的次孔(Oss；Ois)；用至少一种金属至少部分地填充所述孔从而制备上接触底部金属化和至少一个使每个所述接触与所述金属化相接触的上接触垫。本发明的另一主题为使用所述方法制得的元件。所述元件可以为激光二极管。

主权项

1.一种用于制备元件的方法，所述元件包括在衬底表面上的III‑V族材料的结构，所述结构包括至少一个在第一III‑V族材料(1)表面上限定的上接触水平面(N_sup)以及在第二III‑V族材料(2)表面上限定的下接触水平面(N_inf)，所述方法包括：‑用至少一种电介质封装的连续操作，包括用至少一种电介质(8)封装所述结构；‑在所述电介质(8)中，在所述第一III‑V族材料(1)的表面上制造至少一个上孔(O_s)并且在所述第二III‑V族材料(2)的表面上制造至少一个下孔(O_i)，从而在所述第一III‑V族材料上和所述第二III‑V族材料上限定接触底部区域；‑在所述至少上孔(O_s)中和所述至少下孔(O_i)中进行接触底部金属化(3)；‑用至少一种金属材料(5)至少部分地填充所述至少上孔(O_s)并且至少部分地填充所述至少下孔(O_i)，从而产生至少一个上接触垫和至少一个下接触垫；‑接触底部金属化并且接触垫限定与所述上接触水平面(N_sup)相接触的所述第一III‑V族材料的至少一个上接触以及与所述下接触水平面(N_inf)相接触的所述第二III‑V族材料的至少一个下接触；‑至少所述上接触和至少所述下接触在电介质中集成并且具有在同一平面中限定的上表面。