[发明专利]稳定的高掺杂碳化硅有效
| 申请号： | 201780085956.8 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN110268104B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | A·鲍威尔;A·伯克;M·奥洛克林 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了稳定的高掺杂碳化硅。使用化学气相沉积在基材上生长碳化硅晶体，使得碳化硅晶体包括掺杂剂与该应变补偿组分。该应变补偿组分可以是等电子元素和/或具有与掺杂剂相同的多数载流子类型的元素。该碳化硅晶体可以随后切割成碳化硅晶片。在一些实施方案中，该掺杂剂为n型，且该应变补偿组分选自锗、锡、砷、磷及其组合。在一些实施方案中，该应变补偿组分包含锗，且该掺杂剂为氮。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定 掺杂 碳化硅 | ||
【主权项】：
1.制造碳化硅的方法，包括：将籽晶放置在生长区中；将源材料定位在生长区中；并在所述籽晶上生长碳化硅晶体，使得碳化硅晶体包括掺杂剂与应变补偿组分；其中所述应变补偿组分包含等电子元素和/或具有与掺杂剂相同的多数载流子类型的元素，并生长所述碳化硅晶体以使所述碳化硅晶体中应变补偿组分的浓度为掺杂剂浓度的1％至180％。
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