[发明专利]用于锁相环路的电荷泵装置的方法和电路有效
申请号: | 201780086190.5 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN110495102B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 艾伦·C·罗杰斯;拉古亨·巴格万 | 申请(专利权)人: | 模拟比特公司 |
主分类号: | H03L7/089 | 分类号: | H03L7/089 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;吴启超 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种电荷泵,其包括:(I)电流源;(II)p沟道源电流网络,其包括:第一p沟道晶体管;第二p沟道晶体管;p沟道电流开关,其包括耦合到所述第一p沟道晶体管的漏极端子的至少一个源极端子、耦合到相位比较器的至少一个栅极,以及至少一个漏极端子;第三p沟道晶体管;和(III)n沟道吸收器电流网络,其包括:第一n沟道晶体管;第二n沟道晶体管;第三n沟道晶体管;n沟道电流开关,其包括耦合到所述第三n沟道晶体管的源极端子的至少一个漏极端子、耦合到相位比较器的至少一个栅极;和耦合到所述第一n沟道晶体管的漏极端子的至少一个源极端子;且其中所述p沟道源电流网络和所述n沟道吸收器电流网络从所述第一p沟道晶体管提取基线电流。 | ||
搜索关键词: | 用于 环路 电荷 装置 方法 电路 | ||
【主权项】:
1.一种电荷泵,其被配置成接收第一p偏压输入、第二p偏压输入、第一n偏压输入、第二n偏压输入;和在输出线上产生电压输出,所述电荷泵包括:/n电流源;/np沟道源电流网络,其包括:/n第一p沟道晶体管,其包括耦合到所述电流源的源极端子、被配置成接收所述第一p偏压输入的栅极,以及漏极端子;/n第二p沟道晶体管,其包括耦合到所述第一p沟道晶体管的所述漏极端子的源极端子、被配置成接收所述第二p偏压输入的栅极,以及漏极端子;/np沟道电流开关,其包括耦合到所述第一p沟道晶体管的所述漏极端子的至少一个源极端子、耦合到相位比较器的至少一个栅极,以及至少一个漏极端子;和/n第三p沟道晶体管,其包括耦合到所述p沟道电流开关的漏极端子的源极端子、被配置成接收所述第二p偏压输入的栅极,以及耦合到所述输出线的漏极端子;和/nn沟道吸收器电流网络,其包括:/n第一n沟道晶体管,其包括漏极端子、被配置成接收所述第一n偏压输入的栅极,以及耦合到地的源极端子;/n第二n沟道晶体管,其包括耦合到所述第二p沟道晶体管的所述源极端子的漏极端子、被配置成接收所述第二n偏压输入的栅极,以及耦合到所述第一n沟道晶体管的所述漏极端子的源极端子;/n第三n沟道晶体管,其包括耦合到所述第三p沟道晶体管的所述漏极端子以及所述电荷泵的所述输出的漏极端子、被配置成接收所述第二n偏压输入的栅极,以及源极端子;和/nn沟道电流开关,其包括耦合到所述第三n沟道晶体管的所述源极端子的至少一个漏极端子、耦合到所述相位比较器的至少一个栅极,以及耦合到所述第一n沟道晶体管的所述漏极端子的至少一个源极端子;且/n其中所述p沟道源电流网络和所述n沟道吸收器电流网络被配置成从所述第一p沟道晶体管提取基线电流并且引导所述基线电流穿过所述第二p沟道晶体管到达所述第二n沟道晶体管,以使得(i)当所述p沟道电流开关接通时,小于所述基线电流的第一电流增量从所述第一p沟道晶体管流出并且随后穿过所述p沟道电流开关和所述第三p沟道晶体管流到所述输出线,且(ii)当所述n沟道开关接通时,小于所述基线电流的第二电流增量从所述输出线流出并且随后从所述第三n沟道晶体管穿过所述n沟道电流开关流到所述第一n沟道晶体管。/n
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