[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201780086349.3 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110291643A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 原田峻丞;加藤久登 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/76;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置，设于半导体基板(4)，隔着分离区域(16)而配置有栅极驱动型的主元件(2)和电流检测用的感测元件(3)，在形成于上述半导体基板的上述感测元件以及上述分离区域的结构中，对上述感测元件的电阻做出贡献的至少一部分电阻成分(4c～4f，4p～4r，22b～22e)形成为比对上述主元件的电阻做出贡献的同等构成部分的电阻成分(4，4a，4b，22a)高的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 感测元件 半导体基板 半导体装置 分离区域 主元件 电流检测 栅极驱动 比对 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，设于半导体基板(4)，隔着分离区域(16)而配置有栅极驱动型的主元件(2)和电流检测用的感测元件(3)，其特征在于，在形成于上述半导体基板的上述感测元件以及上述分离区域的结构中，对上述感测元件的电阻做出贡献的至少一部分电阻成分(4c～4f，4p～4r，22b～22e)形成为比对上述主元件的电阻做出贡献的同等构成部分的电阻成分(4，4a，4b，22a)高的电阻值。
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