[发明专利]半导体元件接合体及其制造方法、半导体装置有效
申请号: | 201780086549.9 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN110419097B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 山崎浩次;加东智明 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;B23K20/00;H01L23/12;H01L23/48 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 肖靖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 半导体元件接合体具有设置有凹部的基板、以及在配置于凹部的状态下搭载于基板的半导体元件。基板的设置有凹部的部分由Cu构成。形成于凹部的外周部的台阶的高度d为20[μm]以上且小于50[μm]。当设为激光的波长λ=632.8[nm]时,凹部的底面的平坦度为λ/8.7[μm]以上且λ/1.2[μm]以下。金属膜设置于半导体元件。凹部的底面与金属膜相互直接接合。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 接合 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体元件接合体,具备:安装部件,设置有凹部;以及半导体元件,在配置于所述凹部的状态下搭载于所述安装部件,所述安装部件的设置有所述凹部的部分由金属构成,形成于所述凹部的外周部的台阶的高度为20[μm]以上且小于50[μm],当设为激光的波长λ=632.8[nm]时,所述凹部的底面的平坦度为λ/8.7[μm]以上且λ/1.2[μm]以下,金属膜设置于所述半导体元件,所述凹部的底面与所述金属膜相互直接接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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