[发明专利]半导体元件接合体及其制造方法、半导体装置有效

专利信息
申请号: 201780086549.9 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN110419097B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 山崎浩次;加东智明 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;B23K20/00;H01L23/12;H01L23/48
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 肖靖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体元件接合体具有设置有凹部的基板、以及在配置于凹部的状态下搭载于基板的半导体元件。基板的设置有凹部的部分由Cu构成。形成于凹部的外周部的台阶的高度d为20[μm]以上且小于50[μm]。当设为激光的波长λ=632.8[nm]时,凹部的底面的平坦度为λ/8.7[μm]以上且λ/1.2[μm]以下。金属膜设置于半导体元件。凹部的底面与金属膜相互直接接合。
搜索关键词: 半导体 元件 接合 及其 制造 方法 装置
【主权项】:
1.一种半导体元件接合体,具备:安装部件,设置有凹部;以及半导体元件,在配置于所述凹部的状态下搭载于所述安装部件,所述安装部件的设置有所述凹部的部分由金属构成,形成于所述凹部的外周部的台阶的高度为20[μm]以上且小于50[μm],当设为激光的波长λ=632.8[nm]时,所述凹部的底面的平坦度为λ/8.7[μm]以上且λ/1.2[μm]以下,金属膜设置于所述半导体元件,所述凹部的底面与所述金属膜相互直接接合。
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