[发明专利]用于功率放大器的具有多个基极台面和功率级的异质结双极晶体管单位单元有效
| 申请号： | 201780086929.2 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN110301048B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 陶耿名;杨斌;李夏;M·米兰达·科巴兰 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/66;H01L29/737;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郭星 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种异质结双极晶体管单位单元可以包括化合物半导体衬底(502)。异质结双极晶体管单元包括在化合物半导体衬底上的多个基极台面(514、512和544、542)。基极台面包括在化合物半导体衬底上的集电极区域(514，544)和在集电极区域上的基极区域(512，542)。异质结双极晶体管单元还包括在每个基极台面上的单发射极台面(520，550)。在集电极基极结处生成的热量(HS)可以被更有效地耗散。在基极台面之间，设置有集电极接触件(CC)或电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率放大器 具有 基极 台面 功率 异质结 双极晶体管 单位 单元 | ||
【主权项】：
1.一种异质结双极晶体管单位单元，包括：化合物半导体衬底；基极台面，在所述化合物半导体衬底上，所述基极台面包括在所述化合物半导体衬底上的集电极区域以及在所述集电极区域上的基极区域；以及单发射极台面，在所述基极台面上。
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