[发明专利]磁存储元件、磁存储装置、电子装置以及制造磁存储元件的方法在审
| 申请号： | 201780087141.3 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN110337717A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 内田裕行;细见政功;大森广之;別所和宏;肥后丰;佐藤阳;长谷直基 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本文旨在提供一种磁存储元件、一种磁存储装置和一种存储多值信息的结构较为简单的电子装置。一种磁存储元件，具有：多个隧道结元件，各自包括具有固定磁化方向的参考层、能够反转磁化方向的存储层，和插入所述参考层和所述存储层之间的绝缘体层，所述多个隧道结元件彼此电并联，其中所述多个隧道结元件具有彼此相同的膜结构，所述膜结构的各层通过使用相同的材料形成，以具有相同的厚度，且通过沿层压方向切割所述多个隧道结元件获得的每个横截面形状是多边形的形状，其包括相互平行的上侧和下侧，所述多个隧道结元件中每一个的所述下侧与所述上侧的比值不同。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道结元件 磁存储元件 磁存储装置 电子装置 参考层 存储层 膜结构 固定磁化方向 横截面形状 材料形成 层压方向 磁化方向 多值信息 绝缘体层 电并联 反转 平行 切割 存储 制造 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储元件，包括：多个隧道结元件，各自包括：具有固定磁化方向的参考层、能够反转磁化方向的存储层，和插入所述参考层和所述存储层之间的绝缘体层，所述多个隧道结元件彼此电并联，其中所述多个隧道结元件具有彼此相同的膜结构，所述膜结构的各层通过使用相同的材料形成，以具有相同的厚度，以及通过沿层压方向切割所述多个隧道结元件获得的每个横截面形状是多边形的形状，其包括相互平行的上侧和下侧，所述多个隧道结元件中每一个的所述下侧与所述上侧的比值不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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