[发明专利]磁存储器、半导体装置、电子设备和读取磁存储器的方法在审
| 申请号： | 201780087367.3 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN110366756A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 肥后丰;细见政功;大森广之;別所和宏;内田裕行;佐藤阳;长谷直基 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种存储多级信息的、能够在充分地确保读裕度的同时进行读取的磁存储器。提供一种磁存储器，其包括：第一磁存储元件和第二磁存储元件，其设置在彼此交叉的第一配线和第二配线之间，并且串联地电连接；第三配线，其在所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件之间电连接；第一确定单元，其基于通过所述第三配线流向所述第一磁存储元件的电流来确定所述第一磁存储元件的磁化状态；和第二确定单元，其基于通过所述第一配线流向所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件的电流来确定所述第二磁存储元件的磁化状态，其中基于所述第一确定单元的确定结果来改变所述第二确定单元的确定状态。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储元件 配线 磁存储器 确定单元 读取 磁化状态 半导体装置 彼此交叉 电子设备 多级信息 电连接 地电 裕度 串联 存储 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，其包含：第一磁存储元件和第二磁存储元件，其设置在彼此交叉的第一配线和第二配线之间，并且串联地电连接；第三配线，其在所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件之间电连接；第一确定单元，其基于通过所述第三配线流向所述第一磁存储元件的电流来确定所述第一磁存储元件的磁化状态；第二确定单元，其基于通过所述第一配线流向所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件的电流来确定所述第二磁存储元件的磁化状态，其中基于所述第一确定单元的确定结果改变所述第二确定单元的确定状态。
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