[发明专利]具有深源接触的功率MOSFET有效
| 申请号： | 201780087729.9 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN110366781B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 林福任;F·巴约奇;H·林;Y·刘;L·刘;W·宋;Z·赵 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率MOSFET IC器件，其包括形成在半导体衬底中的MOSFET单元阵列(300A、300B)。MOSFET单元阵列包括内部MOSFET单元(300A)的内部区和外部MOSFET单元(300B)的外边缘区，阵列的内部区的每个内部MOSFET单元包括内部MOSFET器件对，其在共用漏极接触(314)处彼此耦合。在一个示例实施例中，每个内部MOSFET器件包括延伸到半导体衬底的衬底接触区中的源极接触沟槽(SCT)。提供SCT沟槽，其长度(303)小于内部MOSFET器件的多晶硅栅极(312)的线性部分(310A)，其中SCT沟槽与具有曲线布局几何结构的多晶硅栅极(312)对准。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接触 功率 mosfet | ||
【主权项】：
1.一种集成电路即IC，其包括：半导体衬底，其具有顶部表面和底部表面；以及至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管单元即MOSFET单元，其形成在所述半导体衬底中的，所述MOSFET单元包括MOSFET器件对，其在共用的漏极接触处彼此耦合，其中，所述至少一个MOSFET器件包括源极接触沟槽即SCT沟槽，其延伸到邻近所述底部表面的所述半导体衬底中的衬底接触区中，所述SCT沟槽具有沿着所述顶部表面的长度，其小于所述至少一个MOSFET器件的多晶硅栅极的线性部分，所述SCT沟槽与具有曲线布局几何结构的所述多晶硅栅极的互补轮廓对准。
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