[发明专利]用于制造环绕式接触部的金属化学气相沉积方法和结果得到的结构在审
| 申请号： | 201780087776.3 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110326088A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | J.S.莱布;D.B.贝里斯特隆;C.J.魏根德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/205;H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈晓;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了用于制造环绕式接触部的金属化学气相沉积方法，以及具有环绕式金属接触部的半导体结构。在示例中，一种集成电路结构包括在衬底上方的半导体特征。介电层在半导体特征之上，所述介电层具有暴露半导体特征的一部分的沟槽，所述部分具有非平坦形貌。金属接触部材料直接在半导体特征的所述部分上。金属接触部材料与半导体特征的所述部分的非平坦形貌共形。金属接触部材料具有包括95%或更大的单金属种类的总原子组成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体特征 金属接触部 环绕式 金属化学 平坦形貌 气相沉积 介电层 集成电路结构 半导体结构 结构描述 原子组成 单金属 衬底 共形 制造 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：在衬底上方的半导体特征；在所述半导体特征之上的介电层，所述介电层具有暴露半导体特征的一部分的沟槽，所述部分具有非平坦形貌；以及直接在半导体特征的所述部分上的金属接触部材料，所述金属接触部材料与半导体特征的所述部分的非平坦形貌共形，并且所述金属接触部材料具有包括95%或更大的单金属种类的总原子组成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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