[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201780088735.6 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN110447096B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 中村秀幸;松崎欣史;伊藤广和 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的半导体装置100,包括:n型半导体基体110;p型第一半导体区域120;从平面看包围第一半导体区域120的多个第二角部131以及多个第二边部132;掺杂物浓度比第一半导体区域120更低的p型表面半导体区域130;以及场板154,具有从平面看通过绝缘膜140形成在与表面半导体区域130重叠区域上的多个场板角部155以及多个场板边部156,其中,至少满足(1)至少一部分上L1L2、以及(2)至少一部分上FP1FP2这两个条件中的任意一个,并且第二边部132的耐压低于第二角部131的耐压。根据本发明的半导体装置,相比具有保护环构造的半导体装置,能够实现进一步的小型化,并且,相比以往的半导体装置,能够提高装置整体的击穿耐量。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:第一导电型半导体基体;第二导电型第一半导体区域,形成在所述半导体基体的第一主面的表面上,并且具有多个第一角部以及多个第一边部;第二导电型表面半导体区域,在所述第一主面的表面上,从平面看包含与所述第一半导体区域重叠的区域、并且具有从平面看包围所述第一半导体区域的多个第二角部以及多个第二边部,并且掺杂物浓度比所述第一半导体区域更低;绝缘膜,在所述第一主面的表面上,从平面看从形成有所述第一半导体区域的区域延展至比所述表面半导体区域更外侧的区域上;第一半导体区域侧电极,从平面看形成在与所述第一半导体区域重叠的区域上;以及场板,具有从平面看通过所述绝缘膜形成在与所述表面半导体区域重叠区域上的多个场板角部以及多个场板边部,其中,将从平面上看所述第二角部时从所述第一半导体区域的外边缘直至所述表面半导体区域的外边缘上的所述表面半导体区域的总长设为L1,将从平面上看所述第二边部时从所述第一半导体区域的外边缘直至所述表面半导体区域的外边缘上的所述表面半导体区域的总长设为L2,并且将从平面上看所述场板角部时从所述第一半导体区域侧电极的外边缘直至所述场板的外边缘上的所述表面半导体区域的长度设为FP1,将从平面上看所述场板边部时从所述第一半导体区域侧电极的外边缘直至所述场板的外边缘上的长度设为FP2时,至少满足(1)在所述表面半导体区域的至少一部分上L1>L2、以及(2)在所述场板的至少一部分上FP1>FP2这两个条件中的任意一个,并且所述第二边部的耐压低于所述第二角部的耐压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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