[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780088847.1 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110521114B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木善伸 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明具备：第1半导体芯片，其形成有场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极端子、漏极端子以及与接地用端子连接的源极端子；第2半导体芯片，其具有直流地连接的输入端子和输出端子，第2半导体芯片具有与输入端子和接地用端子连接的第1电容器；第1电感，其连接在输出端子与栅极端子之间；第2电感，其第1端子与输入端子连接；第2电容器，其连接在第2电感的第2端子与接地用端子之间；保护二极管，其具有阴极、与接地用端子连接的阳极，保护二极管构成为，至少大于或等于2个沿正向串联连接；以及第3电感，其连接在阴极与第2端子之间，本发明能够以少的保护二极管的级联级数实现ESD破坏保护功能，并且抑制功率增益的下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具备：/n第1半导体芯片，其包含场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极端子、漏极端子以及与接地用端子连接的源极端子；/n第2半导体芯片，其具有彼此直流地通过配线而连接的输入端子和输出端子，该第2半导体芯片包含一端与所述配线连接，另一端与所述接地用端子连接的第1电容器；/n第1电感，其连接在所述输出端子与所述栅极端子之间；/n第2电感，其具有与所述配线连接的第1端子；/n第2电容器，其形成于所述第2半导体芯片，连接在所述第2电感的第2端子与所述接地用端子之间；/n保护二极管，其形成于所述第2半导体芯片，并且该保护二极管的阳极与所述接地用端子连接；以及/n第3电感，其连接在所述保护二极管的阴极与所述第2端子之间。/n
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