[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201780089134.7 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110476308B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吉野达郎;铃木正人;根岸将人;吉川兼司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 特征在于，具备以下工序：在晶片形成多个具有有源区域的半导体元件；在该晶片的上表面侧形成多个劈开槽；以及将该晶片从该晶片的上表面侧劈开，使多个该有源区域和通过多个该劈开槽形成的台阶在剖面露出，该有源区域设置于将从该劈开槽的底至该晶片的下表面的距离作为半径、将该劈开槽的劈开行进方向侧的端部正下方的该晶片的下表面作为中心的半圆内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备以下工序：/n在晶片形成多个具有有源区域的半导体元件；/n在所述晶片的上表面侧形成多个劈开槽；以及/n将所述晶片从所述晶片的上表面侧劈开，使多个所述有源区域和通过多个所述劈开槽形成的台阶在剖面露出，/n所述有源区域设置于将从所述劈开槽的底至所述晶片的下表面的距离作为半径、将所述劈开槽的劈开行进方向侧的端部正下方的所述晶片的下表面作为中心的半圆内。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780089134.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：啁啾脉冲放大激光器系统
- 下一篇：可编程等离子体点火塞
