[发明专利]作为用于芯片间精确分离的挡块的柱在审
| 申请号： | 201780089171.8 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110462836A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | E.A.卢塞罗 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/18 | 分类号： | H01L27/18;H01L39/00;G06N10/00 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 金玉洁<国际申请>=PCT/US2017 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种堆叠设备，包括：包括量子信息处理器件的第一基板；键合到第一基板的第二基板；第一基板和第二基板之间的多个凸块键合件和至少一个柱。多个凸块键合件中的每个凸块键合件提供第一基板和第二基板之间的电连接。至少一个柱定义了第一基板的第一表面和第二基板的第一表面之间的分离距离。每个柱的横截面积大于多个凸块键合件的每个凸块键合件的横截面积，其中每个柱的横截面积和每个凸块键合件的横截面积沿着平行于第一基板的第一表面或第二基板的第一表面的平面来定义。 | ||
| 搜索关键词： | 键合 第一基板 凸块 第二基板 第一表面 量子信息处理 堆叠设备 分离距离 电连接 平行 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：/n包括量子信息处理器件的第一基板；/n键合到第一基板的第二基板；/n所述第一基板和所述第二基板之间的多个凸块键合件，所述多个凸块键合件中的每个凸块键合件提供所述第一基板和所述第二基板之间的电连接；和/n所述第一基板和所述第二基板之间的至少一个柱，所述至少一个柱定义了所述第一基板的第一表面和所述第二基板的第一表面之间的分离距离，其中每个柱的横截面积大于所述多个凸块键合件中的每个凸块键合件的横截面积，每个柱的横截面积和每个凸块键合件的横截面积沿着平行于所述第一基板的第一表面或所述第二基板的第一表面的平面来定义。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
