[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780091490.2 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN110741461B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 西口浩平 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 依次具有以下工序：在半导体基板之上形成绝缘膜，该绝缘膜具有形成了开口的开口部；在避开该开口部和通过该开口部露出的该半导体基板的同时，在该绝缘膜之上形成第1抗蚀层；通过蒸镀法或者溅射法，在该开口部、该第1抗蚀层和通过该开口部露出的该半导体基板之上形成第1金属；通过剥离法将该第1抗蚀层和该第1抗蚀层之上的该第1金属去除；在该绝缘膜之上形成使该第1金属露出的第2抗蚀层；通过无电解镀法在该第1金属生长第2金属；以及去除该第2抗蚀层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，依次具有以下工序：/n在半导体基板之上形成绝缘膜，该绝缘膜具有形成了开口的开口部；/n在避开所述开口部和通过所述开口部露出的所述半导体基板的同时，在所述绝缘膜之上形成第1抗蚀层；/n通过蒸镀法或者溅射法，在所述开口部、所述第1抗蚀层和通过所述开口部露出的所述半导体基板之上形成第1金属；/n通过剥离法将所述第1抗蚀层和所述第1抗蚀层之上的所述第1金属去除；/n在所述绝缘膜之上形成使所述第1金属露出的第2抗蚀层；/n通过无电解镀法在所述第1金属生长第2金属；以及/n去除所述第2抗蚀层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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