[发明专利]导电过孔及金属线端制造及由其所得的结构在审
| 申请号： | 201780094240.4 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN111052345A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | C·H·华莱士;R·帕特尔;H·朴;M·K·哈兰;D·巴苏;C·W·沃德;R·A·布雷恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了导电过孔和金属线端制造。在示例中，一种互连结构包括在硬掩模层上的第一层间电介质(ILD)，其中，ILD包括第一ILD开口和第二ILD开口。互连结构还包括ILD层上的蚀刻停止层(ESL)，其中，ESL包括与第一ILD开口对准以形成第一过孔开口的第一ESL开口，并且其中，ESL层包括与第二ILD开口对准的第二ESL开口。互连结构还包括第一过孔开口中的第一过孔；第一ESL上的第二ILD层；第二ILD层中的金属线，其中，金属线与第一过孔接触，并且其中，金属线包括第一金属开口，并且其中，金属线包括与第二ILD开口和第二ESL开口对准以形成第二过孔开口的第二金属开口。互连结构还包括第一金属开口中的金属线端，并进一步包括金属线中的第二过孔，其中，第二过孔在第二过孔开口中。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 金属线 制造 所得 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
