[发明专利]针对锗NMOS晶体管的用以减少源极/漏极扩散的经掺杂的STI在审
| 申请号： | 201780094407.7 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111033753A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | G.A.格拉斯;A.S.墨菲;K.贾姆布纳桑;C.C.邦伯格;T.贾尼;J.T.卡瓦利罗斯;B.楚-孔;成承训;S.舒克西 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑瑾彤;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了集成电路晶体管结构，其在制造期间降低诸如磷或砷之类的n型掺杂剂从锗n‑MOS器件的源极区域和漏极区域到相邻的浅沟槽隔离（STI）区域中的扩散。该n‑MOS晶体管器件可以包括按原子百分比至少75％的锗。在示例实施例中，该STI在STI的与源极和/或漏极区域相邻的区域中掺杂有n型杂质，以提供掺杂剂扩散降低。在一些实施例中，该STI区域掺杂有包括浓度按原子百分比在1%至10%之间的磷的n型杂质。在一些实施例中，经掺杂的STI区域的厚度可以范围在10至100纳米之间。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 nmos 晶体管 用以 减少 扩散 掺杂 sti | ||
【主权项】：
暂无信息
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