[发明专利]半导体装置及具备该半导体装置的功率转换装置在审
| 申请号： | 201780094899.X | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN111095537A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 梶原孝信;大前胜彦;长尾崇志;船越政行;江见哲央;藤田充纪;冈部有纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/28;H01L23/31;H01L25/07;H01L25/18;H02K11/33;H02M7/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡秋瑾;宋俊寅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置(100)在引线框(2)的散热面(2b)设有作为框状突起的散热面侧裙部。由此，以较少的树脂增加量就能增大沿面距离，绝缘性得到提高。另外，经过两次转送成形工序后成形散热面侧裙部，从而提高第二模塑树脂(8)的流动性，容易对第一模塑树脂(7)和引线框(2)进行浸润，附着性得到提高。而且，在安装面(2a)一侧，使内部引线(6)的端面(6a)从元件密封部(7b)露出，并利用由第二模塑树脂(8)成形的第二薄壁成形部(8c)进行覆盖，由此，半导体元件(1)所产生的热量能够从第一薄壁成形部(1b)和第二薄壁成形部(8c)的两个面高效地散发出去，因此散热性得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 具备 功率 转换 | ||
【主权项】：
暂无信息
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