[发明专利]堆叠的晶体管布局

摘要

提供了一种设备，其包括：包括一种或多种半导体材料并且具有包含源极区和漏极区连同其间的沟道区的长度的第一晶体管主体；第一晶体管主体之上的第一电介质层；包括一种或多种半导体材料并且具有包含源极区和漏极区连同其间的沟道区的长度的第二晶体管主体，其中，第二晶体管主体位于第一电介质层之上，并且其中，第二晶体管主体的长度不与第一晶体管主体的长度平行；以及与第一晶体管主体和第二晶体管主体二者的沟道区均耦接的栅极。还公开了其他实施例并主张对这些其他实施例的权益。