[发明专利]用于高级集成电路结构制造的鳍状物图案化

摘要

本公开的实施例在高级集成电路结构制造的领域中，并且特别是在10纳米节点和更小的集成电路结构制造以及所得到的结构的领域中。在示例中，集成电路结构包括沿第一方向具有最长尺寸的第一多个半导体鳍状物。第一多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在与第一方向正交的第二方向上彼此间隔开第一量。第二多个半导体鳍状物沿第一方向具有最长尺寸。第二多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在第二方向上彼此间隔开第一量，并且第一多个半导体鳍状物和第二多个半导体鳍状物中的最接近的半导体鳍状物在所述第二方向上彼此间隔开第二量。