[发明专利]宽带隙半导体装置在审
| 申请号： | 201780096412.1 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111295763A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 中村俊一 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/76;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 宽带隙半导体装置具有：使用第一导电型的宽带隙半导体材料的漂移层12；由设置在所述漂移层12上的第二导电型组成的阱区20；设置在所述阱区20上的源极区域30；设置在所述阱区20上的且电连接于栅极焊盘120的栅极接触区域103；以及设置在所述阱区20上的且是设置在所述源极区域30与所述栅极接触区域103之间的齐纳二极管区域100。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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