[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780097567.7 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111512448B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 八田英之;日野史郎;菅原胜俊 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 漂移层(2)具有第1导电类型。阱区域(20)具有第2导电类型。阱接触区域(25)具有比阱区域(20)的电阻率低的电阻率。源极接触区域(12)被阱区域(20)从漂移层(2)隔开而设置于阱区域(20)上，具有第1导电类型。源极电阻区域(15)被阱区域(20)从漂移层(2)隔开而设置于阱区域(20)上，与源极接触区域(12)邻接，具有第1导电类型，具有比源极接触区域(12)的片电阻高的片电阻。源极电极(40)与源极接触区域(12)、阱接触区域(25)以及源极电阻区域(15)相接，至少经由源极电阻区域(15)连结于沟道(CH)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780097567.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
