[其他]半导体封装件及功率模块

摘要

本申请涉及半导体封装件及功率模块。半导体封装件的实施方式可包括：第一基底，所述第一基底具有耦接在第一金属层与第二金属层之间的第一介电层；第二基底，所述第二基底具有耦接在第三金属层与第四金属层之间的第二介电层。第一管芯可与第一电间隔件耦接，所述第一电间隔件耦接在所述第一基底与所述第二基底之间的空间中并与所述第一基底和所述第二基底耦接，并且第二管芯可与第二电间隔件耦接，所述第二电间隔件耦接在所述第一基底与所述第二基底之间的空间中并与所述第一基底和所述第二基底耦接。

主权项

1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：第一基底，所述第一基底包括耦接在第一金属层与第二金属层之间的第一介电层；第二基底，所述第二基底包括耦接在第三金属层与第四金属层之间的第二介电层；第一管芯，所述第一管芯与第一电间隔件耦接，所述第一电间隔件耦接在所述第一基底与所述第二基底之间的空间中并与所述第一基底和所述第二基底耦接；以及第二管芯，所述第二管芯与第二电间隔件耦接，所述第二电间隔件耦接在所述第一基底与所述第二基底之间的空间中并与所述第一基底和所述第二基底耦接；其中所述第一基底的宽度宽于所述第二基底的对应宽度并且被配置为便于将模塑化合物施加到所述第一管芯并施加到所述第二管芯；并且其中与所述第一基底的所述宽度垂直的长度短于与所述第二基底的所述宽度垂直的对应长度。