[发明专利]具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法有效
| 申请号： | 201810002610.3 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN108270414B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 张家达;魏君如;翁国隆 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;李林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，包括以下步骤：形成一牺牲结构台面于一基板之上，其中牺牲结构台面分成复数个区部；蚀刻牺牲结构台面使得任两相邻的复数个区部具有不同的高度，其中牺牲结构台面的一最高区部所具有的一最高台面顶表面与一台面顶延伸平面重合；形成一绝缘层于牺牲结构台面以及基板之上；研磨绝缘层以形成一抛光表面；于抛光表面之上形成一体声波共振结构包括一底电极层、一压电层以及一顶电极层；以及蚀刻牺牲结构台面以形成一空腔；其中介于抛光表面以及台面顶延伸平面之间的绝缘层形成一频率调谐结构，其中介于台面顶延伸平面以及空腔之间的绝缘层形成一质量调整结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 质量 调整 结构 声波 共振器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法，其特征是包括以下步骤：步骤D1：形成一牺牲结构台面在一基板之上，其中该牺牲结构台面分成复数个区部；步骤D2：蚀刻该牺牲结构台面使得该牺牲结构台面的该复数个区部的任两相邻者具有不同的高度，其中该牺牲结构台面的一最高区部具有一最高台面顶表面，其中一台面顶延伸平面与该最高台面顶表面重合；步骤D3：形成一绝缘层于该牺牲结构台面以及该基板之上；步骤D4：以一化学机械平坦化制程研磨该绝缘层以形成一抛光表面；步骤D5：形成一体声波共振结构于该抛光表面之上，其中该体声波共振结构位于该牺牲结构台面的上方，其中该步骤D5包括以下步骤：步骤D51：形成一底电极层于该抛光表面之上；步骤D52：形成一压电层于该底电极层之上；以及步骤D53：形成一顶电极层于该压电层之上；以及步骤D6：蚀刻该牺牲结构台面以形成一空腔，其中该空腔位于该体声波共振结构的下方；其中在该步骤D4中：(1)该绝缘层被研磨至使得该牺牲结构台面未露出，其中位于该体声波共振结构之下、该空腔之上且介于该抛光表面以及该台面顶延伸平面之间的该绝缘层形成一频率调谐结构，其中位于该体声波共振结构之下且介于该台面顶延伸平面以及该空腔之间的该绝缘层形成一质量调整结构；或(2)该绝缘层被研磨至使得该牺牲结构台面露出，其中位于该体声波共振结构之下且介于该抛光表面以及该空腔之间的该绝缘层形成一质量调整结构。
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