[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201810004050.5 | 申请日: | 2018-01-03 |
公开(公告)号: | CN108281342B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 上田雄大 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明能够抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。第一载置台(2)具有载置作为等离子体处理的对象的晶片(W)的载置面(6d)和外周面。第一载置台(2)在载置面(6d)设置有加热器(6c),在载置面(6d)的背面侧设置有供电端子(31)。第一载置台(2)在在外周面设置有将加热器(6c)与供电端子(31)连接的配线(32)且该配线内包在绝缘物中。第二载置台(7)沿第一载置台(2)的外周面设置,用于载置聚焦环(5)。 | ||
搜索关键词: | 载置台 外周面 载置面 加热器 供电端子 聚焦环 配线 载置 等离子体处理装置 等离子体处理 不均匀 绝缘物 晶片 内包 背面 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:/n第一载置台,其具有用于载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面和外周面,在所述载置面设置有加热器,在所述载置面的背面侧设置有供电端子,连接所述加热器与所述供电端子的配线以内包于绝缘物中的方式设置在所述外周面;和/n第二载置台,其沿第一载置台的外周面设置,用于载置聚焦环,/n在所述第一载置台与所述第二载置台之间设置着连接所述加热器与所述供电端子的所述配线以及内包该配线的所述绝缘物。/n
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