[发明专利]半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法有效
| 申请号： | 201810007268.6 | 申请日： | 2018-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN108573895B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 叶昶麟 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置封装，其包含衬底、封装主体、导电层、介电层、磁性层、第一绝缘层及线圈。所述封装主体安置在所述衬底上。所述封装主体具有第一部分及安置在所述第一部分上面的第二部分。所述导电层安置在所述封装主体的所述第一部分上且电连接到所述衬底。所述介电层安置在所述导电层上。所述磁性层安置在所述介电层上。所述第一绝缘层安置在所述磁性层上。所述线圈安置在所述第一绝缘层上。所述线圈具有与所述磁性层电连接的第一端子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装装置，其包括：衬底；封装主体，其安置在所述衬底上，所述封装主体具有第一部分及安置在所述第一部分上面的第二部分；导电层，其安置在所述封装主体的所述第一部分上且电连接到所述衬底；介电层，其安置在所述导电层上；磁性层，其安置在所述介电层上；第一绝缘层，其安置在所述磁性层上；以及线圈，其安置在所述第一绝缘层上，其中所述线圈具有与所述磁性层电连接的第一端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
