[发明专利]滤波器封装元件有效
申请号: | 201810007573.5 | 申请日: | 2018-01-04 |
公开(公告)号: | CN108270413B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 珠海晶讯聚震科技有限公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/05;H03H9/17;H03H9/58 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 俞梁清 |
地址: | 519000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 滤波器封装元件,包括:一组压电薄膜,其包括一系列混合单晶,每个混合单晶包括夹裹在一系列下电极和一系列上电极之间的掺杂氮化铝,其中上电极包括金属层以及在金属层上方的硅膜,硅膜上方具有腔体;其中,一系列下电极连接至一转接板,一系列下电极和转接板之间具有第一腔体;其中,一系列硅膜具有既定的厚度,与一系列上层腔体一起结合在一系列上电极上方,每个上层腔体都位于该一系列硅膜的其中一个硅膜与共同硅盖之间,并与位列其下方的硅膜、上电极、压电薄膜居中对齐,所述上层腔体四周为包括二氧化硅的侧壁;其中,各个压电薄膜、其上电极以及上方的硅膜通过绝缘材料与相邻的压电薄膜、上电极以及硅膜分隔开来。 | ||
搜索关键词: | 滤波器 封装 元件 | ||
【主权项】:
1.滤波器封装元件,包括:一组压电薄膜,其包括一系列混合单晶,每个混合单晶包括夹裹在一系列下电极和一系列上电极之间的掺杂氮化铝,其中上电极包括金属层以及在金属层上方的硅膜,硅膜上方具有腔体;其中,一系列下电极连接至一转接板,一系列下电极和转接板之间具有第一腔体;其中,一系列硅膜具有既定的厚度,与一系列上层腔体一起结合在一系列上电极上方,每个上层腔体都位于该一系列硅膜的其中一个硅膜与共同硅盖之间,并与位列其下方的硅膜、上电极、压电薄膜居中对齐,所述上层腔体四周为包括二氧化硅的侧壁;其中,各个压电薄膜、其上电极以及上方的硅膜通过绝缘材料与相邻的压电薄膜、上电极以及硅膜分隔开来。
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