[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810007663.4 | 申请日： | 2018-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN110010683B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王梓;张海洋;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一氧化层，所述衬底包括第一区，所述第一区包括相邻的外延区和器件区；对所述第一氧化层进行第一氮化处理，形成钝化层；对所述外延区钝化层和衬底进行刻蚀处理，在所述钝化层和衬底中形成第一凹槽，所述第一凹槽自所述外延区钝化层贯穿至所述衬底中；在所述第一凹槽中形成第一外延层；在所述器件区形成器件结构，所述器件结构与所述外延层相邻。所述形成方法能够抑制第一外延层与器件结构之间的桥连，改善半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一氧化层，所述衬底包括第一区，所述第一区包括相邻的外延区和器件区；对所述第一氧化层进行第一氮化处理，形成钝化层；对所述外延区钝化层和衬底进行刻蚀处理，在所述钝化层和衬底中形成第一凹槽，所述第一凹槽自所述外延区钝化层贯穿至所述衬底中；在所述第一凹槽中形成第一外延层；在所述器件区形成器件结构，所述器件结构与所述外延层相邻。
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