[发明专利]成膜方法及真空处理装置有效
| 申请号： | 201810009976.3 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108300968B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 坂本纯一;清田淳也;小林大士;武井应树;大野哲宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种在适用于将IGZO膜等的氧化物半导体作为沟道层的TFT的情况下，TFT的特性和可靠性优异的IGZO膜的成膜方法、以及适合于这样的IGZO膜的成膜的真空处理装置。将包含铟、镓和锌的烧结体设为靶体(42a)，在设置有该靶体的真空处理室(Vc4)内配置处理对象物(W)，真空处理室真空排气到规定的压力时，导入放电用气体和氧气，向靶体施加规定电力而对靶体进行溅射，由此通过反应性溅射在处理对象物的表面形成IGZO膜，这样的本发明的成膜方法包括在靶体的溅镀开始之前，将真空处理室内的水分压设为1×10 |
||
| 搜索关键词： | 方法 真空 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，将包含铟、镓和锌的烧结体设为靶体，在设置有该靶体的真空处理室内配置处理对象物，真空处理室真空排气到预定的压力时，导入放电用气体和氧气，向靶体施加预定电力而对靶体进行溅镀，由此通过反应性溅射，在处理对象物的表面形成IGZO膜，其特征在于：在靶体溅镀开始之前，包括将真空处理室内的水分压设为1×10‑5Pa～1×10‑3Pa的范围的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810009976.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
